Rasterelektronenmikroskopie (REM, EDX)
Stärken der Technik
- Abbildung von Oberflächen und unregelmäßigen Objekten mit sehr hoher Präzision und Schärfentiefe
- quantitative Elementanalytik mittels EDX:
- Punkt- oder Partikelanalysen im Mikrometerbereich
- Erstellung von Elementverteilungsbildern
Technische Daten
| REM | Laterale Auflösung: | bis zu 3 nm |
| Beschleunigungsspannung: | 0,1 - 30 kV | |
| Detektoren: | Sekundär-, Rückstreuelektronen- und In-Lense-Detektor | |
| EDX | Nachweisbare Elemente: | alle ab Bor |
| Nachweisgrenze: | ca. 0,1 - 1 At% | |
| Quantifizierung: | ja |
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| Informationstiefe: | ca. 1 µm | |
| Laterale Auflösung: | bis zu 0,3 µm |
Weitergehende Informationen
AnwendungsbeispieleMethodeninformation (REM, EDX) [PDF, 193kB]
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