Rasterelektronenmikroskopie (REM, EDX)
Stärken der Technik
- Abbildung von Oberflächen und unregelmäßigen Objekten mit sehr hoher Präzision und Schärfentiefe
- quantitative Elementanalytik mittels EDX:
- Punkt- oder Partikelanalysen im Mikrometerbereich
- Erstellung von Elementverteilungsbildern
Technische Daten
| REM | Laterale Auflösung: |
bis zu 3 nm 0,1 - 30 kV Sekundär-, Rückstreuelektronen- und In-Lense-Detektor |
| EDX | Nachweisbare Elemente: Nachweisgrenze: Quantifizierung: Informationstiefe: Laterale Auflösung: |
alle ab Bor ca. 0,1 - 1 At% ja ca. 1 µm bis zu 0,3 µm |
Weitergehende Informationen
Anwendungsbeispiele |

