Rasterelektronenmikroskopie (REM, EDX)

Stärken der Technik

  • Abbildung von Oberflächen und unregelmäßigen Objekten mit sehr hoher Präzision und Schärfentiefe
  • quantitative Elementanalytik mittels EDX:
    - Punkt- oder Partikelanalysen im Mikrometerbereich
    - Erstellung von Elementverteilungsbildern

Technische Daten

REM

Laterale Auflösung:
Beschleunigungsspannung:
Detektoren:

bis zu 3 nm
0,1 - 30 kV
Sekundär-, Rückstreuelektronen- und In-Lense-Detektor 
EDX Nachweisbare Elemente:
Nachweisgrenze:
Quantifizierung:
Informationstiefe:
Laterale Auflösung:
alle ab Bor
ca. 0,1 - 1 At%
ja
ca. 1 µm
bis zu 0,3 µm

Weitergehende Informationen

Anwendungsbeispiele
Methodeninformation (REM, EDX) [PDF, 193kB]
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