Rasterelektronenmikroskopie (REM, EDX)

Stärken der Technik

  • Abbildung von Oberflächen und unregelmäßigen Objekten mit sehr hoher Präzision und Schärfentiefe
  • quantitative Elementanalytik mittels EDX:
    - Punkt- oder Partikelanalysen im Mikrometerbereich
    - Erstellung von Elementverteilungsbildern

Technische Daten

REM Laterale Auflösung: bis zu 3 nm 
  Beschleunigungsspannung: 0,1 - 30 kV
  Detektoren: Sekundär-, Rückstreuelektronen- und In-Lense-Detektor 
 EDX Nachweisbare Elemente: alle ab Bor
  Nachweisgrenze: ca. 0,1 - 1 At%
  Quantifizierung: ja
  Informationstiefe: ca. 1 µm
  Laterale Auflösung: bis zu 0,3 µm

Weitergehende Informationen

Anwendungsbeispiele
Methodeninformation (REM, EDX) [PDF, 193kB]
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