Bestimmung des Vernetzungsgrades von SiOx-Schichten
Quarzglasähnliche Schichten zeichnen sich unter anderem durch ihre Kratzfestigkeit, Temperaturstabilität und Gas-Barrierewirkung aus. Um SiO2-Schichten hoher Qualität herzustellen, kommen unter anderem verschiedene CVD-Prozesse zum Einsatz. Dabei werden meist organische Siliziumverbindungen (sog. Precursor), wie z. B. Tetramethoxysilan (TMOS) oder auch Hexamethyldisiloxane (HMDSO), eingesetzt.

